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长鑫存储恳求一种半导体结构过火制备法子专利，杀青半导体结构的改进盘算推算
发布日期：2024-10-21 13:54 点击次数：145
金融界2024年10月18日音书，国度常识产权局信息显现，长鑫存储本事有限公司恳求一项名为“一种半导体结构过火制备法子”的专利，公开号CN 118782607 A，恳求日历为2023年3月。
专利选录显现，本公开实际例公开了一种半导体结构过火制备法子，其中，半导体结构包括：衬底，衬底包括沿第一想法和第二想法阵列排布的有源柱，有源柱为具有两个分支部的U型有源柱，第一想法和第二想法平行于衬底的平面，炒股开户每一有源柱包括：第一源/漏区，位于有源柱的第一端；第二源/漏区，位于有源柱的第二端，第一端和第二端为有源柱在第三方进取相对的两头，第三想法垂直于衬底的平面，沟谈区，沟谈区位于第一源/漏区和第二源/漏区之间，其中，第一源/漏区、第二源/漏区和沟谈区的导电类型疏导。
着手：金融界
半导体衬底有源柱专利沟谈区发布于：北京市